IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2294532-IRFH8202TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFH8202TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | IRFH8202 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 47A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7174 pF @ 13 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) | |
| Autres noms | IRFH8202TRPBFCT IRFH8202TRPBF-ND SP001572718 IRFH8202TRPBFTR IRFH8202TRPBFDKR |
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