RSQ020N03TR

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Numéro de produit de base	RSQ020
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	134mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.1 nC @ 5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	600mW (Ta)
Autres noms	RSQ020N03DKR RSQ020N03CT

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