IPB60R099P7ATMA1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3
Numéro de produit de base	IPB60R099
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ P7
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 530µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1952 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	117W (Tc)
Autres noms	IPB60R099P7ATMA1CT IPB60R099P7ATMA1-ND SP001664910 2156-IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1TR IPB60R099P7ATMA1DKR IFEINFIPB60R099P7ATMA1

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!