IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK
NOVA partie #:
312-2289038-IPB60R120P7ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB60R120P7ATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 | |
| Numéro de produit de base | IPB60R120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ P7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 95W (Tc) | |
| Autres noms | IPB60R120P7ATMA1-ND IPB60R120P7ATMA1TR 2156-IPB60R120P7ATMA1 SP001664922 IPB60R120P7ATMA1DKR IPB60R120P7 IPB60R120P7ATMA1CT IFEINFIPB60R120P7ATMA1 |
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