APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
NOVA partie #:
312-2278424-APT8M100B
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
APT8M100B
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] | |
| Numéro de produit de base | APT8M100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1000 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 290W (Tc) | |
| Autres noms | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
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