FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2263433-FDMS4435BZ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDMS4435BZ
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | FDMS4435 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 18A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | |
| Autres noms | FDMS4435BZTR ONSFSCFDMS4435BZ 2156-FDMS4435BZ-OS FDMS4435BZCT FDMS4435BZDKR FDMS4435BZ-ND |
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