BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
NOVA partie #:
312-2313428-BSZ0804LSATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSZ0804LSATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 FL | |
| Numéro de produit de base | BSZ0804 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ 5 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Autres noms | SP001648318 448-BSZ0804LSATMA1DKR 448-BSZ0804LSATMA1CT 448-BSZ0804LSATMA1TR |
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