BSZ096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
NOVA partie #:
312-2281304-BSZ096N10LS5ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSZ096N10LS5ATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL | |
| Numéro de produit de base | BSZ096 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ 5 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | Standard | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 69W (Tc) | |
| Autres noms | 448-BSZ096N10LS5ATMA1CT BSZ096N10LS5ATMA1-ND 448-BSZ096N10LS5ATMA1DKR SP001352994 448-BSZ096N10LS5ATMA1TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon Technologies
TCKE805NL,RFToshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated
INA139NA/3KTexas Instruments
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon Technologies
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
TPS2561DRCTTexas Instruments- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC034N10LS5ATMA1Infineon Technologies
LCA715SIXYS Integrated Circuits Division
