SPA11N80C3XKSA2
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
NOVA partie #:
312-2264401-SPA11N80C3XKSA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SPA11N80C3XKSA2
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 | |
| Numéro de produit de base | SPA11N80 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 Isolated Tab | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 800 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 34W (Tc) | |
| Autres noms | SP000216321 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
2SJ649-AZRenesas Electronics America Inc
SPA11N80C3XKSA1Infineon Technologies
IPAN80R450P7XKSA1Infineon Technologies