2SJ649-AZ

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MOSFET P-CH 60V 20A TO220

NOVA partie #:

312-2305468-2SJ649-AZ

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

2SJ649-AZ

Paquet Standard:

Fiche technique:

P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220 Isolated Tab
Numéro de produit de base	2SJ649
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3 Isolated Tab
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	2W (Ta), 25W (Tc)