SCT3105KLGC11

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
NOVA partie #:
312-2264823-SCT3105KLGC11
Pièce de fabricant non:
SCT3105KLGC11
Paquet Standard:
450
Fiche technique:

N-Channel 1200 V 24A (Tc) 134W Through Hole TO-247N

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-247N
Numéro de produit de base SCT3105
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 137mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.81mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 18 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-3
Vg (Max)+22V, -4V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 574 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (maximale) 134W

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