SCT3160KLGC11

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-247N
Numéro de produit de base	SCT3160
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 18 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	+22V, -4V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	398 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (maximale)	103W (Tc)

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