BSC026N02KSGAUMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC026
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52.7 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±12V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7800 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Autres noms	BSC026N02KS GDKR-ND BSC026N02KSGAUMA1TR BSC026N02KSGAUMA1DKR SP000379664 BSC026N02KS GCT BSC026N02KS G BSC026N02KSG BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GCT-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KS GDKR BSC026N02KSGAUMA1CT 2156-BSC026N02KSGAUMA1 INFINFBSC026N02KSGAUMA1

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