BSC046N02KSGAUMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC046
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	19A (Ta), 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	27.6 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±12V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
Autres noms	BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1CT BSC046N02KSGAUMA1DKR BSC046N02KS GTR-ND BSC046N02KSG BSC046N02KS GCT-ND SP000379666 BSC046N02KS GTR BSC046N02KSGAUMA1TR BSC046N02KS GDKR BSC046N02KS GDKR-ND BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GCT

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