SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
NOVA partie #:
312-2289776-SUG80050E-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SUG80050E-GE3
Paquet Standard:
500
Fiche technique:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247AC | |
| Numéro de produit de base | SUG80050 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | ThunderFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 75 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 500W (Tc) | |
| Autres noms | SUG80050E-GE3TR-ND SUG80050E-GE3DKRINACTIVE SUG80050E-GE3TRINACTIVE SUG80050E-GE3DKR-ND SUG80050E-GE3CT SUG80050E-GE3TR SUG80050E-GE3CT-ND SUG80050E-GE3DKR |
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