TSM60NB900CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
NOVA partie #:
312-2265234-TSM60NB900CP ROG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TSM60NB900CP ROG
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) | |
| Numéro de produit de base | TSM60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 600 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 36.8W (Tc) | |
| Autres noms | TSM60NB900CP ROGTR TSM60NB900CP ROGTR-ND TSM60NB900CPROGTR TSM60NB900CP ROGCT TSM60NB900CP ROGCT-ND TSM60NB900CP ROGDKR-ND TSM60NB900CP ROGDKR TSM60NB900CPROGDKR TSM60NB900CPROGCT |
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