NVMTS1D5N08H
MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
NOVA partie #:
312-2305392-NVMTS1D5N08H
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NVMTS1D5N08H
Paquet Standard:
3,000
N-Channel 80 V 38A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 258W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| Numéro de produit de base | NVMTS1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 273A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8220 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 5W (Ta), 258W (Tc) | |
| Autres noms | 488-NVMTS1D5N08HTR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
FDMT1D3N08Bonsemi
NTMTSC1D5N08MConsemi- NVMTS1D2N08Honsemi
- NVMTSC1D3N08M7TXGonsemi
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon Technologies- NVBLS1D1N08Honsemi
- NTBLS1D1N08Honsemi
