IAUT300N08S5N012ATMA2
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
NOVA partie #:
312-2283517-IAUT300N08S5N012ATMA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IAUT300N08S5N012ATMA2
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-HSOF-8-1 | |
| Numéro de produit de base | IAUT300 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 300A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 231 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerSFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16250 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | IAUT300N08S5N012ATMA2CT IAUT300N08S5N012CT-ND IAUT300N08S5N012ATMA2-ND IAUT300N08S5N012 IAUT300N08S5N012CT IAUT300N08S5N012DKR-ND IAUT300N08S5N012DKR IAUT300N08S5N012ATMA2TR IAUT300N08S5N012TR-ND IAUT300N08S5N012TR IAUT300N08S5N012ATMA2DKR SP001585160 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
WSBS8518L0500JKVishay Dale
ECS-80-18-20BQ-DSECS Inc.- IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon Technologies
- IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon Technologies
STTH1R04AYSTMicroelectronics
TLE42754GATMA1Infineon Technologies