MSC080SMA120S

SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
NOVA partie #:
312-2291201-MSC080SMA120S
Pièce de fabricant non:
MSC080SMA120S
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 1200 V 35A 182W (Tc) Surface Mount D3PAK

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Microchip Technology
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur D3PAK
Numéro de produit de base MSC080
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 35A
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 20 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vg (Max)+23V, -10V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 838 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (maximale) 182W (Tc)

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