IXFB150N65X2
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
NOVA partie #:
312-2291914-IXFB150N65X2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFB150N65X2
Paquet Standard:
25
Fiche technique:
N-Channel 650 V 150A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PLUS264™ | |
| Numéro de produit de base | IXFB150 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 430 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-264-3, TO-264AA | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20400 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1560W (Tc) | |
| Autres noms | IXFB150N65X2X IXFB150N65X2X-ND IXFB150N65X2XINACTIVE |
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