ISC027N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
NOVA partie #:
312-2277782-ISC027N10NM6ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
ISC027N10NM6ATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 192A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 FL | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 192A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 116µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3W (Ta), 217W (Tc) | |
| Autres noms | 448-ISC027N10NM6ATMA1CT 448-ISC027N10NM6ATMA1DKR SP005339566 448-ISC027N10NM6ATMA1TR |
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