FDMS86350
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
NOVA partie #:
312-2263302-FDMS86350
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDMS86350
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 130A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | FDMS86 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 130A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10680 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) | |
| Autres noms | FDMS86350CT FDMS86350TR FDMS86350DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SI7469DP-T1-E3Vishay Siliconix
FDMS86550onsemi- FDMS86350ET80onsemi
IXTA96P085T-TRLIXYS
INA239AQDGSRQ1Texas Instruments
FDMS10C4D2Nonsemi
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMC86340onsemi- FDMS86150ET100onsemi
- FDMS86105onsemi