SI7456DP-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
NOVA partie #:
312-2280951-SI7456DP-T1-E3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7456DP-T1-E3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7456 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 9.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.9W (Ta) | |
| Autres noms | SI7456DP-T1-E3CT SI7456DP-T1-E3DKR SI7456DP-T1-E3TR SI7456DPT1E3 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SI7489DP-T1-E3Vishay Siliconix
MIC2920A-5.0WSMicrochip Technology
SI4850EY-T1-E3Vishay Siliconix- SI7456DDP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7461DP-T1-E3Vishay Siliconix
- SI7456DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4840BDY-T1-E3Vishay Siliconix
FDP038AN06A0onsemi
IRLR3410TRPBFInfineon Technologies- SI4850EY-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS86105onsemi
