SIRA20DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
NOVA partie #:
312-2273015-SIRA20DP-T1-RE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIRA20DP-T1-RE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 25 V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SIRA20 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 81.7A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | +16V, -12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10850 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Autres noms | SIRA20DP-RE3 SIRA20DP-T1-RE3TR SIRA20DP-T1-RE3CT SIRA20DP-T1-RE3DKR |
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