SIRA20BDP-T1-GE3

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIRA20
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen IV
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® SO-8
Vg (Max)	+16V, -12V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	25 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9950 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Autres noms	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

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