IXFP34N65X2

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MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB

NOVA partie #:

312-2293275-IXFP34N65X2

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXFP34N65X2

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXFP34
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HiPerFET™, Ultra X2
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3330 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	540W (Tc)
Autres noms	IXFP34N65X2X IXFP34N65X2X-ND