RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
NOVA partie #:
312-2292202-RQ3E120BNTB
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RQ3E120BNTB
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Numéro de produit de base | RQ3E120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta) | |
| Autres noms | RQ3E120BNTBCT RQ3E120BNTBDKR RQ3E120BNTBTR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor- RQ3E120ATTBRohm Semiconductor
- RQ3E120GNTBRohm Semiconductor
AON7506Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated