RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
NOVA partie #:
312-2281854-RQ3E100BNTB
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RQ3E100BNTB
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Numéro de produit de base | RQ3E100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta) | |
| Autres noms | RQ3E100BNTBDKR RQ3E100BNTBCT RQ3E100BNTBTR |
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