STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
NOVA partie #:
312-2263528-STL57N65M5
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STL57N65M5
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (8x8) HV | |
| Numéro de produit de base | STL57 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | MDmesh™ V | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.8W (Ta), 189W (Tc) | |
| Autres noms | 497-13520-1 497-13520-2 497-13520-6 |
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