CWDM3011P TR13 PBFREE

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Central Semiconductor Corp
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	CWDM3011
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)	20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 8 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta)
Autres noms	-CWDM3011P DKR-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR-ND 1514-CWDM3011PTR13PBFREETR -CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011PCT CWDM3011P DKR-ND -CWDM3011PDKR -CWDM3011PDKR-ND CWDM3011PTR -CWDM3011P TR13-ND CWDM3011PDKR CWDM3011P DKR -CWDM3011P CT-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREECT 1514-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT -CWDM3011P TR13-CT-ND -CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR13 LEAD FREE CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR-ND CWDM3011PTR-ND -CWDM3011PCT 1514-CWDM3011PTR13PBFREECT -CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT-ND CWDM3011PDKR-ND