SI4425FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2285587-SI4425FDY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4425FDY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 30 V 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | SI4425 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® Gen IV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | +16V, -20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) | |
| Autres noms | SI4425FDY-T1-GE3TR SI4425FDY-T1-GE3CT SI4425FDY-T1-GE3DKR |
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