BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
NOVA partie #:
312-2283018-BSC082N10LSGATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSC082N10LSGATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
| Numéro de produit de base | BSC082 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 13.8A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 110µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 156W (Tc) | |
| Autres noms | BSC082N10LSGATMA1TR BSC082N10LSGXT SP000379609 BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LS GDKR-ND BSC082N10LS GCT-ND BSC082N10LSGATMA1CT BSC082N10LS G-ND BSC082N10LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC082N10LS GCT BSC082N10LSG BSC082N10LS G BSC082N10LS GDKR BSC082N10LSGATMA1DKR |
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