BSC060N10NS3GATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC060
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	14.9A (Ta), 90A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	125W (Tc)
Autres noms	BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 GDKR BSC060N10NS3GATMA1TR BSC060N10NS3 G-ND SP000446584 BSC060N10NS3 GTR BSC060N10NS3 GTR-ND BSC060N10NS3GATMA1CT BSC060N10NS3 GCT-ND BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC060N10NS3 GDKR-ND BSC060N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC060N10NS3G BSC060N10NS3GATMA1DKR BSC060N10NS3 GCT