IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
NOVA partie #:
312-2303665-IRFSL5615PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFSL5615PBF
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-262 | |
| Numéro de produit de base | IRFSL5615 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 144W (Tc) | |
| Autres noms | SP001567730 IFEINFIRFSL5615PBF 2156-IRFSL5615PBF |
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