IRF1405PBF

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB

NOVA partie #:

312-2283352-IRF1405PBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRF1405PBF

Paquet Standard:

100

Fiche technique:

N-Channel 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Numéro de produit de base	IRF1405
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	169A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5480 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	330W (Tc)
Autres noms	*IRF1405PBF IFEINFIRF1405PBF 2156-IRF1405PBF SP001574466