IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2291149-IRFH6200TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFH6200TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
| Numéro de produit de base | IRFH6200 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10890 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Autres noms | IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR |
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