IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
NOVA partie #:
312-2280523-IRLHM620TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRLHM620TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PQFN (3x3) | |
| Numéro de produit de base | IRLHM620 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 40A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3620 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | |
| Autres noms | IRLHM620TRPBFDKR IRLHM620TRPBF-ND IRLHM620TRPBFTR SP001550432 IRLHM620TRPBFCT |
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