PSMN1R2-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
NOVA partie #:
312-2281808-PSMN1R2-25YLC,115
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
PSMN1R2-25YLC,115
Paquet Standard:
1,500
Fiche technique:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Numéro de produit de base | PSMN1R2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SC-100, SOT-669 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4173 pF @ 12 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 179W (Tc) | |
| Autres noms | 568-6722-6 568-6722-2-ND 1727-5294-6 568-6722-6-ND 568-6722-1 934065197115 568-6722-1-ND 568-6722-2 1727-5294-1 1727-5294-2 |
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