PSMN1R2-25YL,115

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK56; Power-SO8
Numéro de produit de base	PSMN1R2
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1023, 4-LFPAK
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	25 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6380 pF @ 12 V
Dissipation de puissance (maximale)	121W (Tc)
Autres noms	1727-4277-6 568-4909-6-ND 568-4909-1-ND 568-4909-2-ND 568-4909-2 568-4909-1 934063812115 PSMN1R225YL115 1727-4277-1 568-4909-6 1727-4277-2

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!