DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
NOVA partie #:
312-2298191-DMN2450UFB4-7R
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMN2450UFB4-7R
Paquet Standard:
3,000
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | X2-DFN1006-3 | |
| Numéro de produit de base | DMN2450 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 3-XFDFN | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 16 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 500mW (Ta) |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
ABM8-25.000MHZ-12-D1X-TAbracon LLC
SI7461DP-T1-E3Vishay Siliconix
CZRU52C10Comchip Technology
DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated
MBR0520LT1Gonsemi- DMN2450UFB4-7BDiodes Incorporated
- DMN2400UFB4-7Diodes Incorporated
