DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
NOVA partie #:
312-2280944-DMN26D0UFB4-7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMN26D0UFB4-7
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | X2-DFN1006-3 | |
| Numéro de produit de base | DMN26 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 3-XFDFN | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 350mW (Ta) | |
| Autres noms | DMN26D0UFB4-7DICT DMN26D0UFB4-7DIDKR DMN26D0UFB47 DMN26D0UFB4-7DITR |
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