SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
NOVA partie #:
312-2291915-SCTWA50N120
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SCTWA50N120
Paquet Standard:
600
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | HiP247™ | |
| Numéro de produit de base | SCTWA50 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | +25V, -10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 318W (Tc) | |
| Autres noms | SCTWA50N120-ND 497-SCTWA50N120 -1138-SCTWA50N120 497-18637 497-18637-ND |
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