SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
NOVA partie #:
312-2273525-SCT50N120
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SCT50N120
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | HiP247™ | |
| Numéro de produit de base | SCT50 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | +25V, -10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 318W (Tc) | |
| Autres noms | -1138-SCT50N120 497-16598-5 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NTHL020N120SC1onsemi
SCTW100N65G2AGSTMicroelectronics
C3M0021120DWolfspeed, Inc.- SCTWA50N120STMicroelectronics
- C3M0040120DWolfspeed, Inc.
- SCT30N120STMicroelectronics
- SCTW90N65G2VSTMicroelectronics