TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
NOVA partie #:
312-2285394-TPN11006PL,LQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPN11006PL,LQ
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Numéro de produit de base | TPN11006 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSIX-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1625 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 610mW (Ta), 61W (Tc) | |
| Autres noms | TPN11006PL,LQ(S 264-TPN11006PLLQCT 264-TPN11006PLLQTR 264-TPN11006PLLQDKR |
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