SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
NOVA partie #:
312-2284983-SQ2301ES-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQ2301ES-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TA) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236 (SOT-23) | |
| Numéro de produit de base | SQ2301 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3W (Tc) | |
| Autres noms | 742-SQ2301ES-T1_GE3DKR 742-SQ2301ES-T1_GE3CT SQ2301ES-T1_GE3CT 742-SQ2301ES-T1_GE3TR SQ2301ES-T1_GE3TR SQ2301ES-T1_GE3TR-ND SQ2301ES-T1_GE3CT-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
RB530SM-30T2RRohm Semiconductor
IRFR5505TRPBFInfineon Technologies
BQ79616PAPRQ1Texas Instruments
SQ2301ES-T1_BE3Vishay Siliconix
NX2301P,215NXP Semiconductors- FDN338Ponsemi
LFXTAL082072ReelIQD Frequency Products
