IXFN32N100P

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
NOVA partie #:
312-2265027-IXFN32N100P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFN32N100P
Paquet Standard:
10
Fiche technique:

N-Channel 1000 V 27A (Tc) 690W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-227B
Numéro de produit de base IXFN32
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHiPerFET™, Polar
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseSOT-227-4, miniBLOC
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 690W (Tc)

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