SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
NOVA partie #:
312-2280546-SCT3120ALGC11
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SCT3120ALGC11
Paquet Standard:
450
Fiche technique:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247N | |
| Numéro de produit de base | SCT3120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 21A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | +22V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 103W (Tc) | |
| Autres noms | Q12567120 |
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