SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
NOVA partie #:
312-2280699-SIA427DJ-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIA427DJ-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Numéro de produit de base | SIA427 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vg (Max) | ±5V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 8 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Autres noms | SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 SIA427DJ-T1-GE3CT SIA427DJ-T1-GE3DKR |
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