IRF1010EPBF

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MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB

NOVA partie #:

312-2263605-IRF1010EPBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRF1010EPBF

Paquet Standard:

100

Fiche technique:

N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Numéro de produit de base	IRF1010
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	84A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3210 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	200W (Tc)
Autres noms	SP001569818 *IRF1010EPBF

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