IRF1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
NOVA partie #:
312-2288545-IRF1018EPBF
Pièce de fabricant non:
IRF1018EPBF
Paquet Standard:
100
Fiche technique:

N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:International Rectifier
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220AB
Numéro de produit de base IRF1018
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 79A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 110W (Tc)
Autres nomsSP001574502
2156-IRF1018EPBF
ROCIRFIRF1018EPBF

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